MCMN2012-TP
MOSFET N-CH 20V 12A DFN202
Artikelnummer
MCMN2012-TP
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
6-WDFN Exposed Pad
Leverantörsenhetspaket
DFN2020-6J
Effektförlust (max)
-
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
11 mOhm @ 9.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1800pF @ 4V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.2V, 4.5V
Vgs (max)
±10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 15797 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av MCMN2012-TP
MCMN2012-TP Elektroniska komponenter
MCMN2012-TP Försäljning
MCMN2012-TP Leverantör
MCMN2012-TP Distributör
MCMN2012-TP Datatabell
MCMN2012-TP Foton
MCMN2012-TP Pris
MCMN2012-TP Erbjudande
MCMN2012-TP Lägsta pris
MCMN2012-TP Sök
MCMN2012-TP Köp av
MCMN2012-TP Chip