MG12150D-BA1MM
IGBT 1200V 210A 1100W PKG D
Artikelnummer
MG12150D-BA1MM
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Chassis Mount
Paket/fodral
Module
Effekt - Max
1100W
Konfiguration
Half Bridge
Leverantörsenhetspaket
D3
Aktuell - Samlare (Ic) (Max)
210A
Spänning - Emitter Collector Breakdown (Max)
1200V
Ström - samlargräns (max)
1mA
IGBT typ
-
Vce(aktiv) (Max) @ Vge, Ic
1.8V @ 15V, 150A (Typ)
Ingångskapacitans (Cies) @ Vce
11nF @ 25V
Stiga på
Standard
NTC termistor
No
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 10623 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av MG12150D-BA1MM
MG12150D-BA1MM Elektroniska komponenter
MG12150D-BA1MM Försäljning
MG12150D-BA1MM Leverantör
MG12150D-BA1MM Distributör
MG12150D-BA1MM Datatabell
MG12150D-BA1MM Foton
MG12150D-BA1MM Pris
MG12150D-BA1MM Erbjudande
MG12150D-BA1MM Lägsta pris
MG12150D-BA1MM Sök
MG12150D-BA1MM Köp av
MG12150D-BA1MM Chip