VMO1200-01F
MOSFET N-CH 100V 1245A Y3-LI
Artikelnummer
VMO1200-01F
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tray
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Chassis Mount
Paket/fodral
Y3-Li
Leverantörsenhetspaket
Y3-Li
Effektförlust (max)
-
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1220A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.35 mOhm @ 932A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 64mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
2520nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 52147 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av VMO1200-01F
VMO1200-01F Elektroniska komponenter
VMO1200-01F Försäljning
VMO1200-01F Leverantör
VMO1200-01F Distributör
VMO1200-01F Datatabell
VMO1200-01F Foton
VMO1200-01F Pris
VMO1200-01F Erbjudande
VMO1200-01F Lägsta pris
VMO1200-01F Sök
VMO1200-01F Köp av
VMO1200-01F Chip