Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
Se specifikationer för produktinformation.
IXRFSM12N100
2A 1000V MOSFET IN SMPD PACKAGE
Artikelnummer
IXRFSM12N100
Tillverkare/varumärke
Serier
SMPD
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
16-BESOP (0.790", 20.11mm Width), 15 Leads, Exposed Pad
Leverantörsenhetspaket
16-SMPD
Effektförlust (max)
940W
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.05 Ohm @ 6A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
77nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2875pF @ 800V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
15V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 32041 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXRFSM12N100
IXRFSM12N100 Elektroniska komponenter
IXRFSM12N100 Försäljning
IXRFSM12N100 Leverantör
IXRFSM12N100 Distributör
IXRFSM12N100 Datatabell
IXRFSM12N100 Foton
IXRFSM12N100 Pris
IXRFSM12N100 Erbjudande
IXRFSM12N100 Lägsta pris
IXRFSM12N100 Sök
IXRFSM12N100 Köp av
IXRFSM12N100 Chip