Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IXFK21N100F

IXFK21N100F

MOSFET N-CH 1000V 21A TO264
Artikelnummer
IXFK21N100F
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerRF™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-264-3, TO-264AA
Leverantörsenhetspaket
TO-264 (IXFK)
Effektförlust (max)
500W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
500 mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 4mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
160nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5500pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 17172 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IXFK21N100F
IXFK21N100F Elektroniska komponenter
IXFK21N100F Försäljning
IXFK21N100F Leverantör
IXFK21N100F Distributör
IXFK21N100F Datatabell
IXFK21N100F Foton
IXFK21N100F Pris
IXFK21N100F Erbjudande
IXFK21N100F Lägsta pris
IXFK21N100F Sök
IXFK21N100F Köp av
IXFK21N100F Chip