IXFK100N65X2
MOSFET N-CH 650V 100A TO-264
Artikelnummer
IXFK100N65X2
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-264-3, TO-264AA
Leverantörsenhetspaket
TO-264
Effektförlust (max)
1040W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
30 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 4mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
180nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
11300pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 19814 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFK100N65X2
IXFK100N65X2 Elektroniska komponenter
IXFK100N65X2 Försäljning
IXFK100N65X2 Leverantör
IXFK100N65X2 Distributör
IXFK100N65X2 Datatabell
IXFK100N65X2 Foton
IXFK100N65X2 Pris
IXFK100N65X2 Erbjudande
IXFK100N65X2 Lägsta pris
IXFK100N65X2 Sök
IXFK100N65X2 Köp av
IXFK100N65X2 Chip