MKE11R600DCGFC
MOSFET N-CH 600V 15A I4-PAC
Artikelnummer
MKE11R600DCGFC
Tillverkare/varumärke
Serier
CoolMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
i4-Pac™-5
Leverantörsenhetspaket
ISOPLUS i4-PAC™
Effektförlust (max)
-
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
165 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 790µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
52nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2000pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 41585 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av MKE11R600DCGFC
MKE11R600DCGFC Elektroniska komponenter
MKE11R600DCGFC Försäljning
MKE11R600DCGFC Leverantör
MKE11R600DCGFC Distributör
MKE11R600DCGFC Datatabell
MKE11R600DCGFC Foton
MKE11R600DCGFC Pris
MKE11R600DCGFC Erbjudande
MKE11R600DCGFC Lägsta pris
MKE11R600DCGFC Sök
MKE11R600DCGFC Köp av
MKE11R600DCGFC Chip