IXYX100N65B3D1
IGBT 650V 188A 1150W PLUS247
Artikelnummer
IXYX100N65B3D1
Tillverkare/varumärke
Serier
GenX3™, XPT™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Ingångstyp
Standard
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Effekt - Max
830W
Leverantörsenhetspaket
PLUS247™-3
Omvänd återhämtningstid (trr)
156ns
Aktuell - Samlare (Ic) (Max)
225A
Spänning - Emitter Collector Breakdown (Max)
650V
IGBT typ
PT
Vce(aktiv) (Max) @ Vge, Ic
1.85V @ 15V, 70A
Ström - Pulserande samlare (Icm)
460A
Energiövergång
1.27mJ (on), 1.37mJ (off)
Gateavgifter
168nC
BP (på/av) vid 25°C
29ns/150ns
Konditionstest
400V, 50A, 3 Ohm, 15V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 35715 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXYX100N65B3D1
IXYX100N65B3D1 Elektroniska komponenter
IXYX100N65B3D1 Försäljning
IXYX100N65B3D1 Leverantör
IXYX100N65B3D1 Distributör
IXYX100N65B3D1 Datatabell
IXYX100N65B3D1 Foton
IXYX100N65B3D1 Pris
IXYX100N65B3D1 Erbjudande
IXYX100N65B3D1 Lägsta pris
IXYX100N65B3D1 Sök
IXYX100N65B3D1 Köp av
IXYX100N65B3D1 Chip