IXTX8N150L
MOSFET N-CH 1500V 8A PLUS247
Artikelnummer
IXTX8N150L
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
PLUS247™-3
Effektförlust (max)
700W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3.6 Ohm @ 4A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
8V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
250nC @ 15V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
8000pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
20V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 46988 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTX8N150L
IXTX8N150L Elektroniska komponenter
IXTX8N150L Försäljning
IXTX8N150L Leverantör
IXTX8N150L Distributör
IXTX8N150L Datatabell
IXTX8N150L Foton
IXTX8N150L Pris
IXTX8N150L Erbjudande
IXTX8N150L Lägsta pris
IXTX8N150L Sök
IXTX8N150L Köp av
IXTX8N150L Chip