IXTX120N65X2
MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247
Artikelnummer
IXTX120N65X2
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
PLUS247™-3
Effektförlust (max)
1250W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
24 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 8mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
240nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
13600pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 16047 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTX120N65X2
IXTX120N65X2 Elektroniska komponenter
IXTX120N65X2 Försäljning
IXTX120N65X2 Leverantör
IXTX120N65X2 Distributör
IXTX120N65X2 Datatabell
IXTX120N65X2 Foton
IXTX120N65X2 Pris
IXTX120N65X2 Erbjudande
IXTX120N65X2 Lägsta pris
IXTX120N65X2 Sök
IXTX120N65X2 Köp av
IXTX120N65X2 Chip