IXTX6N200P3HV
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
Artikelnummer
IXTX6N200P3HV
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3 Variant
Leverantörsenhetspaket
TO-247PLUS-HV
Effektförlust (max)
960W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
2000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4 Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
143nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3700pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 43704 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTX6N200P3HV
IXTX6N200P3HV Elektroniska komponenter
IXTX6N200P3HV Försäljning
IXTX6N200P3HV Leverantör
IXTX6N200P3HV Distributör
IXTX6N200P3HV Datatabell
IXTX6N200P3HV Foton
IXTX6N200P3HV Pris
IXTX6N200P3HV Erbjudande
IXTX6N200P3HV Lägsta pris
IXTX6N200P3HV Sök
IXTX6N200P3HV Köp av
IXTX6N200P3HV Chip