IXTX5N250
MOSFET N-CH 2500V 5A PLUS247
Artikelnummer
IXTX5N250
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
PLUS247™-3
Effektförlust (max)
960W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
2500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
8.8 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
200nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
8560pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 36088 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTX5N250
IXTX5N250 Elektroniska komponenter
IXTX5N250 Försäljning
IXTX5N250 Leverantör
IXTX5N250 Distributör
IXTX5N250 Datatabell
IXTX5N250 Foton
IXTX5N250 Pris
IXTX5N250 Erbjudande
IXTX5N250 Lägsta pris
IXTX5N250 Sök
IXTX5N250 Köp av
IXTX5N250 Chip