IXTX20N150
MOSFET N-CH 1500V 20A PLUS247
Artikelnummer
IXTX20N150
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
PLUS247™-3
Effektförlust (max)
1250W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1 Ohm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
215nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
7800pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 36106 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTX20N150
IXTX20N150 Elektroniska komponenter
IXTX20N150 Försäljning
IXTX20N150 Leverantör
IXTX20N150 Distributör
IXTX20N150 Datatabell
IXTX20N150 Foton
IXTX20N150 Pris
IXTX20N150 Erbjudande
IXTX20N150 Lägsta pris
IXTX20N150 Sök
IXTX20N150 Köp av
IXTX20N150 Chip