IXTP52P10P
MOSFET P-CH 100V 52A TO-220
Artikelnummer
IXTP52P10P
Tillverkare/varumärke
Serier
PolarP™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
300W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
52A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2845pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 46102 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTP52P10P
IXTP52P10P Elektroniska komponenter
IXTP52P10P Försäljning
IXTP52P10P Leverantör
IXTP52P10P Distributör
IXTP52P10P Datatabell
IXTP52P10P Foton
IXTP52P10P Pris
IXTP52P10P Erbjudande
IXTP52P10P Lägsta pris
IXTP52P10P Sök
IXTP52P10P Köp av
IXTP52P10P Chip