IXTP4N70X2M
MOSFET N-CH
Artikelnummer
IXTP4N70X2M
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
-
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3 Full Pack
Leverantörsenhetspaket
TO-220 Isolated Tab
Effektförlust (max)
30W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
700V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
850 mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
11.8nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
386pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 30742 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTP4N70X2M
IXTP4N70X2M Elektroniska komponenter
IXTP4N70X2M Försäljning
IXTP4N70X2M Leverantör
IXTP4N70X2M Distributör
IXTP4N70X2M Datatabell
IXTP4N70X2M Foton
IXTP4N70X2M Pris
IXTP4N70X2M Erbjudande
IXTP4N70X2M Lägsta pris
IXTP4N70X2M Sök
IXTP4N70X2M Köp av
IXTP4N70X2M Chip