IXTP2N80
MOSFET N-CH 800V 2A TO-220
Artikelnummer
IXTP2N80
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
54W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
6.2 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
440pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 21476 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTP2N80
IXTP2N80 Elektroniska komponenter
IXTP2N80 Försäljning
IXTP2N80 Leverantör
IXTP2N80 Distributör
IXTP2N80 Datatabell
IXTP2N80 Foton
IXTP2N80 Pris
IXTP2N80 Erbjudande
IXTP2N80 Lägsta pris
IXTP2N80 Sök
IXTP2N80 Köp av
IXTP2N80 Chip