IXTP2N100P
MOSFET N-CH 1000V 2A TO-220
Artikelnummer
IXTP2N100P
Tillverkare/varumärke
Serier
Polar™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
86W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
7.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
24.3nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
655pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 48190 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTP2N100P
IXTP2N100P Elektroniska komponenter
IXTP2N100P Försäljning
IXTP2N100P Leverantör
IXTP2N100P Distributör
IXTP2N100P Datatabell
IXTP2N100P Foton
IXTP2N100P Pris
IXTP2N100P Erbjudande
IXTP2N100P Lägsta pris
IXTP2N100P Sök
IXTP2N100P Köp av
IXTP2N100P Chip