IXTP1R6N100D2
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB
Artikelnummer
IXTP1R6N100D2
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
100W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
Depletion Mode
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.6A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
10 Ohm @ 800mA, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
645pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 16707 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTP1R6N100D2
IXTP1R6N100D2 Elektroniska komponenter
IXTP1R6N100D2 Försäljning
IXTP1R6N100D2 Leverantör
IXTP1R6N100D2 Distributör
IXTP1R6N100D2 Datatabell
IXTP1R6N100D2 Foton
IXTP1R6N100D2 Pris
IXTP1R6N100D2 Erbjudande
IXTP1R6N100D2 Lägsta pris
IXTP1R6N100D2 Sök
IXTP1R6N100D2 Köp av
IXTP1R6N100D2 Chip