IXTP1N80P
MOSFET N-CH 800V 1A TO-220
Artikelnummer
IXTP1N80P
Tillverkare/varumärke
Serier
Polar™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
42W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
14 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 50µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
9nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
250pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 24471 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTP1N80P
IXTP1N80P Elektroniska komponenter
IXTP1N80P Försäljning
IXTP1N80P Leverantör
IXTP1N80P Distributör
IXTP1N80P Datatabell
IXTP1N80P Foton
IXTP1N80P Pris
IXTP1N80P Erbjudande
IXTP1N80P Lägsta pris
IXTP1N80P Sök
IXTP1N80P Köp av
IXTP1N80P Chip