IXTP160N10T
MOSFET N-CH 100V 160A TO-220
Artikelnummer
IXTP160N10T
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchMV™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
430W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
160A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
7 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
132nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6600pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 36194 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTP160N10T
IXTP160N10T Elektroniska komponenter
IXTP160N10T Försäljning
IXTP160N10T Leverantör
IXTP160N10T Distributör
IXTP160N10T Datatabell
IXTP160N10T Foton
IXTP160N10T Pris
IXTP160N10T Erbjudande
IXTP160N10T Lägsta pris
IXTP160N10T Sök
IXTP160N10T Köp av
IXTP160N10T Chip