IXTP110N12T2
120V/110A TRENCHT2 POWER MOSFET
Artikelnummer
IXTP110N12T2
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchT2™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
517W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
120V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
14 mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
120nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6570pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 33611 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTP110N12T2
IXTP110N12T2 Elektroniska komponenter
IXTP110N12T2 Försäljning
IXTP110N12T2 Leverantör
IXTP110N12T2 Distributör
IXTP110N12T2 Datatabell
IXTP110N12T2 Foton
IXTP110N12T2 Pris
IXTP110N12T2 Erbjudande
IXTP110N12T2 Lägsta pris
IXTP110N12T2 Sök
IXTP110N12T2 Köp av
IXTP110N12T2 Chip