IXTP110N055T
MOSFET N-CH 55V 110A TO-220
Artikelnummer
IXTP110N055T
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchMV™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
230W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
55V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
7 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
67nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3080pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 19876 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTP110N055T
IXTP110N055T Elektroniska komponenter
IXTP110N055T Försäljning
IXTP110N055T Leverantör
IXTP110N055T Distributör
IXTP110N055T Datatabell
IXTP110N055T Foton
IXTP110N055T Pris
IXTP110N055T Erbjudande
IXTP110N055T Lägsta pris
IXTP110N055T Sök
IXTP110N055T Köp av
IXTP110N055T Chip