IXTL2N470
MOSFET N-CH
Artikelnummer
IXTL2N470
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
-
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
ISOPLUSi5-Pak™
Leverantörsenhetspaket
ISOPLUSi5-Pak™
Effektförlust (max)
220W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
4700V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
20 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
180nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6860pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 52437 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTL2N470
IXTL2N470 Elektroniska komponenter
IXTL2N470 Försäljning
IXTL2N470 Leverantör
IXTL2N470 Distributör
IXTL2N470 Datatabell
IXTL2N470 Foton
IXTL2N470 Pris
IXTL2N470 Erbjudande
IXTL2N470 Lägsta pris
IXTL2N470 Sök
IXTL2N470 Köp av
IXTL2N470 Chip