Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IXTK250N10

IXTK250N10

MOSFET N-CH 100V 250A TO-264AA
Artikelnummer
IXTK250N10
Tillverkare/varumärke
Serier
MegaMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Bulk
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-264-3, TO-264AA
Leverantörsenhetspaket
TO-264 (IXTK)
Effektförlust (max)
730W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
250A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
5 mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
430nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
12700pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 50785 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IXTK250N10
IXTK250N10 Elektroniska komponenter
IXTK250N10 Försäljning
IXTK250N10 Leverantör
IXTK250N10 Distributör
IXTK250N10 Datatabell
IXTK250N10 Foton
IXTK250N10 Pris
IXTK250N10 Erbjudande
IXTK250N10 Lägsta pris
IXTK250N10 Sök
IXTK250N10 Köp av
IXTK250N10 Chip