Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IXTK110N30

IXTK110N30

MOSFET N-CH 300V 110A TO-264
Artikelnummer
IXTK110N30
Tillverkare/varumärke
Serier
MegaMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-264-3, TO-264AA
Leverantörsenhetspaket
TO-264 (IXTK)
Effektförlust (max)
730W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
300V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
26 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
390nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
7800pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 45482 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IXTK110N30
IXTK110N30 Elektroniska komponenter
IXTK110N30 Försäljning
IXTK110N30 Leverantör
IXTK110N30 Distributör
IXTK110N30 Datatabell
IXTK110N30 Foton
IXTK110N30 Pris
IXTK110N30 Erbjudande
IXTK110N30 Lägsta pris
IXTK110N30 Sök
IXTK110N30 Köp av
IXTK110N30 Chip