Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IXTK21N100

IXTK21N100

MOSFET N-CH 1000V 21A TO-264
Artikelnummer
IXTK21N100
Tillverkare/varumärke
Serier
MegaMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-264-3, TO-264AA
Leverantörsenhetspaket
TO-264 (IXTK)
Effektförlust (max)
500W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
550 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 500µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
250nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
8400pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 53567 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IXTK21N100
IXTK21N100 Elektroniska komponenter
IXTK21N100 Försäljning
IXTK21N100 Leverantör
IXTK21N100 Distributör
IXTK21N100 Datatabell
IXTK21N100 Foton
IXTK21N100 Pris
IXTK21N100 Erbjudande
IXTK21N100 Lägsta pris
IXTK21N100 Sök
IXTK21N100 Köp av
IXTK21N100 Chip