Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IXTK200N10P
MOSFET N-CH 100V 200A TO-264
Artikelnummer
IXTK200N10P
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-264-3, TO-264AA
Leverantörsenhetspaket
TO-264 (IXTK)
Effektförlust (max)
800W (Tc)
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
200A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
7.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 500µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
240nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
7600pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till chen_hx1688@hotmail.com, vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 6724 PCS