Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IXTK200N10P

IXTK200N10P

MOSFET N-CH 100V 200A TO-264
Artikelnummer
IXTK200N10P
Tillverkare/varumärke
Serier
PolarHT™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-264-3, TO-264AA
Leverantörsenhetspaket
TO-264 (IXTK)
Effektförlust (max)
800W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
200A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
7.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 500µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
240nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
7600pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till chen_hx1688@hotmail.com, vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 6724 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IXTK200N10P
IXTK200N10P Elektroniska komponenter
IXTK200N10P Försäljning
IXTK200N10P Leverantör
IXTK200N10P Distributör
IXTK200N10P Datatabell
IXTK200N10P Foton
IXTK200N10P Pris
IXTK200N10P Erbjudande
IXTK200N10P Lägsta pris
IXTK200N10P Sök
IXTK200N10P Köp av
IXTK200N10P Chip