Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IXTK170N10P

IXTK170N10P

MOSFET N-CH 100V 170A TO-264
Artikelnummer
IXTK170N10P
Tillverkare/varumärke
Serier
Polar™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-264-3, TO-264AA
Leverantörsenhetspaket
TO-264 (IXTK)
Effektförlust (max)
715W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
170A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
9 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
198nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6000pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 12612 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IXTK170N10P
IXTK170N10P Elektroniska komponenter
IXTK170N10P Försäljning
IXTK170N10P Leverantör
IXTK170N10P Distributör
IXTK170N10P Datatabell
IXTK170N10P Foton
IXTK170N10P Pris
IXTK170N10P Erbjudande
IXTK170N10P Lägsta pris
IXTK170N10P Sök
IXTK170N10P Köp av
IXTK170N10P Chip