IXKR25N80C
MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247
Artikelnummer
IXKR25N80C
Tillverkare/varumärke
Serier
CoolMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
ISOPLUS247™
Leverantörsenhetspaket
ISOPLUS247™
Effektförlust (max)
-
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
Super Junction
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
150 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 2mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
355nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 18642 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXKR25N80C
IXKR25N80C Elektroniska komponenter
IXKR25N80C Försäljning
IXKR25N80C Leverantör
IXKR25N80C Distributör
IXKR25N80C Datatabell
IXKR25N80C Foton
IXKR25N80C Pris
IXKR25N80C Erbjudande
IXKR25N80C Lägsta pris
IXKR25N80C Sök
IXKR25N80C Köp av
IXKR25N80C Chip