IXFY30N25X3
MOSFET N-CH 250V 30A TO252AA
Artikelnummer
IXFY30N25X3
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
-
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
TO-252AA
Effektförlust (max)
176W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
250V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 500µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
21nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1450pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 19748 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFY30N25X3
IXFY30N25X3 Elektroniska komponenter
IXFY30N25X3 Försäljning
IXFY30N25X3 Leverantör
IXFY30N25X3 Distributör
IXFY30N25X3 Datatabell
IXFY30N25X3 Foton
IXFY30N25X3 Pris
IXFY30N25X3 Erbjudande
IXFY30N25X3 Lägsta pris
IXFY30N25X3 Sök
IXFY30N25X3 Köp av
IXFY30N25X3 Chip