Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IXFV26N60P

IXFV26N60P

MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220
Artikelnummer
IXFV26N60P
Tillverkare/varumärke
Serier
PolarHV™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3, Short Tab
Leverantörsenhetspaket
PLUS220
Effektförlust (max)
460W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
270 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
72nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4150pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till chen_hx1688@hotmail.com, vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 32415 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IXFV26N60P
IXFV26N60P Elektroniska komponenter
IXFV26N60P Försäljning
IXFV26N60P Leverantör
IXFV26N60P Distributör
IXFV26N60P Datatabell
IXFV26N60P Foton
IXFV26N60P Pris
IXFV26N60P Erbjudande
IXFV26N60P Lägsta pris
IXFV26N60P Sök
IXFV26N60P Köp av
IXFV26N60P Chip