IXFV110N10P
MOSFET N-CH 100V 110A PLUS220
Artikelnummer
IXFV110N10P
Tillverkare/varumärke
Serier
PolarHT™ HiPerFET™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Bulk
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3, Short Tab
Leverantörsenhetspaket
PLUS220
Effektförlust (max)
480W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
15 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3550pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 12022 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFV110N10P
IXFV110N10P Elektroniska komponenter
IXFV110N10P Försäljning
IXFV110N10P Leverantör
IXFV110N10P Distributör
IXFV110N10P Datatabell
IXFV110N10P Foton
IXFV110N10P Pris
IXFV110N10P Erbjudande
IXFV110N10P Lägsta pris
IXFV110N10P Sök
IXFV110N10P Köp av
IXFV110N10P Chip