IXFV26N50P
MOSFET N-CH 500V 26A PLUS220
Artikelnummer
IXFV26N50P
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™, PolarHT™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3, Short Tab
Leverantörsenhetspaket
PLUS220
Effektförlust (max)
400W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
230 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 4mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3600pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 20575 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFV26N50P
IXFV26N50P Elektroniska komponenter
IXFV26N50P Försäljning
IXFV26N50P Leverantör
IXFV26N50P Distributör
IXFV26N50P Datatabell
IXFV26N50P Foton
IXFV26N50P Pris
IXFV26N50P Erbjudande
IXFV26N50P Lägsta pris
IXFV26N50P Sök
IXFV26N50P Köp av
IXFV26N50P Chip