IXFV22N60P
MOSFET N-CH 600V 22A PLUS220
Artikelnummer
IXFV22N60P
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™, PolarHT™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3, Short Tab
Leverantörsenhetspaket
PLUS220
Effektförlust (max)
400W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
350 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 4mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
58nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3600pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 52395 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFV22N60P
IXFV22N60P Elektroniska komponenter
IXFV22N60P Försäljning
IXFV22N60P Leverantör
IXFV22N60P Distributör
IXFV22N60P Datatabell
IXFV22N60P Foton
IXFV22N60P Pris
IXFV22N60P Erbjudande
IXFV22N60P Lägsta pris
IXFV22N60P Sök
IXFV22N60P Köp av
IXFV22N60P Chip