IXFV18N90P
MOSFET N-CH 900V 18A PLUS220
Artikelnummer
IXFV18N90P
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™, PolarP2™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3, Short Tab
Leverantörsenhetspaket
PLUS220
Effektförlust (max)
540W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
900V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
600 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
97nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5230pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 51930 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFV18N90P
IXFV18N90P Elektroniska komponenter
IXFV18N90P Försäljning
IXFV18N90P Leverantör
IXFV18N90P Distributör
IXFV18N90P Datatabell
IXFV18N90P Foton
IXFV18N90P Pris
IXFV18N90P Erbjudande
IXFV18N90P Lägsta pris
IXFV18N90P Sök
IXFV18N90P Köp av
IXFV18N90P Chip