IXFV18N60P
MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220
Artikelnummer
IXFV18N60P
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™, PolarHT™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3, Short Tab
Leverantörsenhetspaket
PLUS220
Effektförlust (max)
360W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 2.5mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2500pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 24761 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFV18N60P
IXFV18N60P Elektroniska komponenter
IXFV18N60P Försäljning
IXFV18N60P Leverantör
IXFV18N60P Distributör
IXFV18N60P Datatabell
IXFV18N60P Foton
IXFV18N60P Pris
IXFV18N60P Erbjudande
IXFV18N60P Lägsta pris
IXFV18N60P Sök
IXFV18N60P Köp av
IXFV18N60P Chip