IXFV16N80P
MOSFET N-CH 800V 16A PLUS220
Artikelnummer
IXFV16N80P
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™, PolarHT™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3, Short Tab
Leverantörsenhetspaket
PLUS220
Effektförlust (max)
460W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
600 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
71nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4600pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 18789 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFV16N80P
IXFV16N80P Elektroniska komponenter
IXFV16N80P Försäljning
IXFV16N80P Leverantör
IXFV16N80P Distributör
IXFV16N80P Datatabell
IXFV16N80P Foton
IXFV16N80P Pris
IXFV16N80P Erbjudande
IXFV16N80P Lägsta pris
IXFV16N80P Sök
IXFV16N80P Köp av
IXFV16N80P Chip