IXFV14N80P
MOSFET N-CH 800V 14A PLUS220
Artikelnummer
IXFV14N80P
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™, PolarHT™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3, Short Tab
Leverantörsenhetspaket
PLUS220
Effektförlust (max)
400W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
720 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 4mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
61nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3900pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 9786 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFV14N80P
IXFV14N80P Elektroniska komponenter
IXFV14N80P Försäljning
IXFV14N80P Leverantör
IXFV14N80P Distributör
IXFV14N80P Datatabell
IXFV14N80P Foton
IXFV14N80P Pris
IXFV14N80P Erbjudande
IXFV14N80P Lägsta pris
IXFV14N80P Sök
IXFV14N80P Köp av
IXFV14N80P Chip