IXFT88N30P
MOSFET N-CH 300V 88A TO268
Artikelnummer
IXFT88N30P
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™, PolarP2™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Leverantörsenhetspaket
TO-268
Effektförlust (max)
600W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
300V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
88A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
40 mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
180nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6300pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 8984 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFT88N30P
IXFT88N30P Elektroniska komponenter
IXFT88N30P Försäljning
IXFT88N30P Leverantör
IXFT88N30P Distributör
IXFT88N30P Datatabell
IXFT88N30P Foton
IXFT88N30P Pris
IXFT88N30P Erbjudande
IXFT88N30P Lägsta pris
IXFT88N30P Sök
IXFT88N30P Köp av
IXFT88N30P Chip