IXFT10N100
MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268
Artikelnummer
IXFT10N100
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Leverantörsenhetspaket
TO-268
Effektförlust (max)
300W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.2 Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
155nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4000pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 11383 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFT10N100
IXFT10N100 Elektroniska komponenter
IXFT10N100 Försäljning
IXFT10N100 Leverantör
IXFT10N100 Distributör
IXFT10N100 Datatabell
IXFT10N100 Foton
IXFT10N100 Pris
IXFT10N100 Erbjudande
IXFT10N100 Lägsta pris
IXFT10N100 Sök
IXFT10N100 Köp av
IXFT10N100 Chip