Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IXFT80N08

IXFT80N08

MOSFET N-CH 80V 80A TO-268
Artikelnummer
IXFT80N08
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Leverantörsenhetspaket
TO-268
Effektförlust (max)
300W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
80V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
9 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
180nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4800pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 8437 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IXFT80N08
IXFT80N08 Elektroniska komponenter
IXFT80N08 Försäljning
IXFT80N08 Leverantör
IXFT80N08 Distributör
IXFT80N08 Datatabell
IXFT80N08 Foton
IXFT80N08 Pris
IXFT80N08 Erbjudande
IXFT80N08 Lägsta pris
IXFT80N08 Sök
IXFT80N08 Köp av
IXFT80N08 Chip