IXFT7N90Q
MOSFET N-CH 900V 7A TO-268
Artikelnummer
IXFT7N90Q
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Leverantörsenhetspaket
TO-268
Effektförlust (max)
180W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
900V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
56nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2200pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 31785 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFT7N90Q
IXFT7N90Q Elektroniska komponenter
IXFT7N90Q Försäljning
IXFT7N90Q Leverantör
IXFT7N90Q Distributör
IXFT7N90Q Datatabell
IXFT7N90Q Foton
IXFT7N90Q Pris
IXFT7N90Q Erbjudande
IXFT7N90Q Lägsta pris
IXFT7N90Q Sök
IXFT7N90Q Köp av
IXFT7N90Q Chip