Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IXFT70N30Q3

IXFT70N30Q3

MOSFET N-CH 300V 70A TO-268
Artikelnummer
IXFT70N30Q3
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Leverantörsenhetspaket
TO-268
Effektförlust (max)
830W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
300V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
54 mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 4mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
98nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4735pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 21972 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IXFT70N30Q3
IXFT70N30Q3 Elektroniska komponenter
IXFT70N30Q3 Försäljning
IXFT70N30Q3 Leverantör
IXFT70N30Q3 Distributör
IXFT70N30Q3 Datatabell
IXFT70N30Q3 Foton
IXFT70N30Q3 Pris
IXFT70N30Q3 Erbjudande
IXFT70N30Q3 Lägsta pris
IXFT70N30Q3 Sök
IXFT70N30Q3 Köp av
IXFT70N30Q3 Chip