IXFT69N30P
MOSFET N-CH 300V 69A TO-268
Artikelnummer
IXFT69N30P
Tillverkare/varumärke
Serier
PolarHT™ HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Leverantörsenhetspaket
TO-268
Effektförlust (max)
500W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
300V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
69A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
49 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
180nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4960pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 50910 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFT69N30P
IXFT69N30P Elektroniska komponenter
IXFT69N30P Försäljning
IXFT69N30P Leverantör
IXFT69N30P Distributör
IXFT69N30P Datatabell
IXFT69N30P Foton
IXFT69N30P Pris
IXFT69N30P Erbjudande
IXFT69N30P Lägsta pris
IXFT69N30P Sök
IXFT69N30P Köp av
IXFT69N30P Chip