IXFT60N65X2HV
MOSFET N-CH
Artikelnummer
IXFT60N65X2HV
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
-
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Leverantörsenhetspaket
TO-268HV
Effektförlust (max)
780W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
52 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
108nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6300pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 35483 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFT60N65X2HV
IXFT60N65X2HV Elektroniska komponenter
IXFT60N65X2HV Försäljning
IXFT60N65X2HV Leverantör
IXFT60N65X2HV Distributör
IXFT60N65X2HV Datatabell
IXFT60N65X2HV Foton
IXFT60N65X2HV Pris
IXFT60N65X2HV Erbjudande
IXFT60N65X2HV Lägsta pris
IXFT60N65X2HV Sök
IXFT60N65X2HV Köp av
IXFT60N65X2HV Chip