IXFT60N25Q
MOSFET N-CH 250V 60A TO-268
Artikelnummer
IXFT60N25Q
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Last Time Buy
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Leverantörsenhetspaket
TO-268
Effektförlust (max)
360W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
250V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
47 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
180nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5100pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till chen_hx1688@hotmail.com, vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 32442 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFT60N25Q
IXFT60N25Q Elektroniska komponenter
IXFT60N25Q Försäljning
IXFT60N25Q Leverantör
IXFT60N25Q Distributör
IXFT60N25Q Datatabell
IXFT60N25Q Foton
IXFT60N25Q Pris
IXFT60N25Q Erbjudande
IXFT60N25Q Lägsta pris
IXFT60N25Q Sök
IXFT60N25Q Köp av
IXFT60N25Q Chip