IXFT58N20Q TRL
MOSFET N-CH 200V 58A TO268
Artikelnummer
IXFT58N20Q TRL
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Last Time Buy
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Leverantörsenhetspaket
TO-268 (IXFT)
Effektförlust (max)
300W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
40 mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
140nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3600pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 35268 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFT58N20Q TRL
IXFT58N20Q TRL Elektroniska komponenter
IXFT58N20Q TRL Försäljning
IXFT58N20Q TRL Leverantör
IXFT58N20Q TRL Distributör
IXFT58N20Q TRL Datatabell
IXFT58N20Q TRL Foton
IXFT58N20Q TRL Pris
IXFT58N20Q TRL Erbjudande
IXFT58N20Q TRL Lägsta pris
IXFT58N20Q TRL Sök
IXFT58N20Q TRL Köp av
IXFT58N20Q TRL Chip