IXFT58N20
MOSFET N-CH 200V 58A TO-268
Artikelnummer
IXFT58N20
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Leverantörsenhetspaket
TO-268
Effektförlust (max)
300W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
40 mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
220nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4400pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 41426 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFT58N20
IXFT58N20 Elektroniska komponenter
IXFT58N20 Försäljning
IXFT58N20 Leverantör
IXFT58N20 Distributör
IXFT58N20 Datatabell
IXFT58N20 Foton
IXFT58N20 Pris
IXFT58N20 Erbjudande
IXFT58N20 Lägsta pris
IXFT58N20 Sök
IXFT58N20 Köp av
IXFT58N20 Chip