IXFT52N50P2
MOSFET N-CH 500V 52A TO268
Artikelnummer
IXFT52N50P2
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™, PolarHV™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Leverantörsenhetspaket
TO-268
Effektförlust (max)
960W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
52A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
113nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6800pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 23646 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFT52N50P2
IXFT52N50P2 Elektroniska komponenter
IXFT52N50P2 Försäljning
IXFT52N50P2 Leverantör
IXFT52N50P2 Distributör
IXFT52N50P2 Datatabell
IXFT52N50P2 Foton
IXFT52N50P2 Pris
IXFT52N50P2 Erbjudande
IXFT52N50P2 Lägsta pris
IXFT52N50P2 Sök
IXFT52N50P2 Köp av
IXFT52N50P2 Chip