IXFT50N60X
MOSFET N-CH 600V 50A TO268
Artikelnummer
IXFT50N60X
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Leverantörsenhetspaket
TO-268
Effektförlust (max)
660W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
73 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
116nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4660pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 50553 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFT50N60X
IXFT50N60X Elektroniska komponenter
IXFT50N60X Försäljning
IXFT50N60X Leverantör
IXFT50N60X Distributör
IXFT50N60X Datatabell
IXFT50N60X Foton
IXFT50N60X Pris
IXFT50N60X Erbjudande
IXFT50N60X Lägsta pris
IXFT50N60X Sök
IXFT50N60X Köp av
IXFT50N60X Chip